L'élément de base d'une mémoire semi-conducteur est appelé cellule. Une cellule possède 3 connexions :
A partir de cet élément de base, réalisons un circuit mémoire RAM de M mots de B bits chacun. On peut organiser cette mémoire en une matrice de M lignes et B colonnes. Ainsi, outre les entrées de sélection, lecture et écriture (toutes sur 1 bit), on doit disposer de log2(M) lignes d'adresse (par exemple, 10 = log2(1024)) et de B lignes de données.
Supposons maintenant qu'à partir de circuits RAM de bits et de circuits ROM de bits, on cherche à réaliser un espace adressable de 216 mots de 32 bits, et disposer de 4096 mots mémoires en RAM et 4096 mots mémoire en ROM. Pour obtenir un mot, il faut en parallèle 4 circuits de 8 bits.
On définit une carte d'adresse mémoire, c'est à dire l'occupation effective de l'espace adressable :
étage | bits d'adresse |
RAM 0 | 0000 00xx xxxx xxxx |
RAM 1 | 0000 01xx xxxx xxxx |
RAM 2 | 0000 10xx xxxx xxxx |
RAM 3 | 0000 11xx xxxx xxxx |
inoccupé | |
ROM 4 | 1111 xxxx xxxx xxxx |
Cette mémoire possède les particularités suivantes :
Il faut choisir une convention pour l'adresse de l'octet de poids faible dans le mot :